半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
1期
78-81
,共4页
赵星%叶志镇%吴贵斌%刘国军%赵炳辉%唐九耀
趙星%葉誌鎮%吳貴斌%劉國軍%趙炳輝%唐九耀
조성%협지진%오귀빈%류국군%조병휘%당구요
选择性外延生长%UHV/CVD%Si1xGex
選擇性外延生長%UHV/CVD%Si1xGex
선택성외연생장%UHV/CVD%Si1xGex
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以SiH4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理.
利用超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)成功實現瞭Si1-xGex的低溫選擇性外延生長,併研究瞭H2對選擇性外延生長的影響及其作用機理.以SiH4和GeH4為反應氣源,在開有6mm×6mm窗口氧化硅片上進行Si1-xGex外延層的生長.首先分彆以不含H2(純GeH4)和含H2(90%H2稀釋的GeH4)的兩種Ge源進行選擇性外延生長.通過SEM觀察兩種情況下氧化硅片錶麵,髮現H2的存在對選擇性外延生長有至關重要的作用.接著以90%H2稀釋的GeH4為Ge源,變化Si源和Ge源的流量比改變H2分壓,以穫得SiH4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生長的選擇性達到最好.利用SEM觀察在不同流量比時,經40min外延生長後各樣品的錶麵形貌,併對其進行比較,分析瞭H2分壓在Si1-xGex選擇性外延生長中的作用機理.
이용초고진공화학기상침적(UHV/CVD)성공실현료Si1-xGex적저온선택성외연생장,병연구료H2대선택성외연생장적영향급기작용궤리.이SiH4화GeH4위반응기원,재개유6mm×6mm창구양화규편상진행Si1-xGex외연층적생장.수선분별이불함H2(순GeH4)화함H2(90%H2희석적GeH4)적량충Ge원진행선택성외연생장.통과SEM관찰량충정황하양화규편표면,발현H2적존재대선택성외연생장유지관중요적작용.접착이90%H2희석적GeH4위Ge원,변화Si원화Ge원적류량비개변H2분압,이획득SiH4화GeH4(90%H2)적최가류량비,사외연생장적선택성체도최호.이용SEM관찰재불동류량비시,경40min외연생장후각양품적표면형모,병대기진행비교,분석료H2분압재Si1-xGex선택성외연생장중적작용궤리.
