发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
5期
675-678
,共4页
宋淑芳%赵德威%徐征%徐叙瑢
宋淑芳%趙德威%徐徵%徐敘瑢
송숙방%조덕위%서정%서서용
有机量子阱%光致发光
有機量子阱%光緻髮光
유궤양자정%광치발광
采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq3有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性.电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00 eV,Alq3的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80 eV,所以CBP/Alq3有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构.小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°～3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好.荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光.阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象.并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论.
採用多源有機分子氣相沉積繫統(OMBD)製備瞭CBP/Alq3有機多量子阱結構,利用電化學循環伏安特性和吸收光譜、小角X射線衍射、熒光光譜研究瞭量子阱的能帶、結構和光緻髮光的特性.電化學循環伏安特性和吸收光譜的測量結果錶明,CBP的最低佔據分子軌道(LUMO)與最高佔據分子軌道(HOMO)的位置分彆為-2.74,-6.00 eV,Alq3的LUMO與HOMO的位置分彆為-3.10,-5.80 eV,所以CBP/Alq3有機量子阱為Ⅰ型量子阱結構.小角X衍射測量顯示,在小角的位置(2θ的範圍在0°～3°)觀察到瞭對應于量子阱結構的多級佈拉格衍射峰,錶明多層量子阱結構是有序的層狀結構,界麵比較完整,界麵質量比較好.熒光光譜的研究結果錶明,Ⅰ型量子阱結構可以有效地把能量從壘層傳遞給阱層,從而增彊瞭阱層材料的髮光.阱層的厚度對髮光峰的位置影響很大,隨阱層厚度減小,阱層材料的髮光峰齣現藍移現象.併對引起髮光峰藍移的原因進行瞭討論.
채용다원유궤분자기상침적계통(OMBD)제비료CBP/Alq3유궤다양자정결구,이용전화학순배복안특성화흡수광보、소각X사선연사、형광광보연구료양자정적능대、결구화광치발광적특성.전화학순배복안특성화흡수광보적측량결과표명,CBP적최저점거분자궤도(LUMO)여최고점거분자궤도(HOMO)적위치분별위-2.74,-6.00 eV,Alq3적LUMO여HOMO적위치분별위-3.10,-5.80 eV,소이CBP/Alq3유궤양자정위Ⅰ형양자정결구.소각X연사측량현시,재소각적위치(2θ적범위재0°～3°)관찰도료대응우양자정결구적다급포랍격연사봉,표명다층양자정결구시유서적층상결구,계면비교완정,계면질량비교호.형광광보적연구결과표명,Ⅰ형양자정결구가이유효지파능량종루층전체급정층,종이증강료정층재료적발광.정층적후도대발광봉적위치영향흔대,수정층후도감소,정층재료적발광봉출현람이현상.병대인기발광봉람이적원인진행료토론.
