电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
1期
77-81
,共5页
张书敬%杨瑞霞%王生国%杨克武
張書敬%楊瑞霞%王生國%楊剋武
장서경%양서하%왕생국%양극무
砷化镓场效应晶体管%微波集成电路%功率器件模型%精确建模
砷化鎵場效應晶體管%微波集成電路%功率器件模型%精確建模
신화가장효응정체관%미파집성전로%공솔기건모형%정학건모
大信号精确模型的建立是微波单片集成电路设计和研制的基础,在分析传统建模方法的基础上,对传统的Cold FET测量技术和寄生元件参数提取提出了改进方法,大栅宽器件引入了脉冲I-V曲线的测试方法,改进了EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片测试技术与建模软件相结合,建立了新的二维电荷模型,给出了建模实例和验证结果.
大信號精確模型的建立是微波單片集成電路設計和研製的基礎,在分析傳統建模方法的基礎上,對傳統的Cold FET測量技術和寄生元件參數提取提齣瞭改進方法,大柵寬器件引入瞭脈遲I-V麯線的測試方法,改進瞭EEFET/EEHEMT模型的I-V模型和Q-V模型.利用在片測試技術與建模軟件相結閤,建立瞭新的二維電荷模型,給齣瞭建模實例和驗證結果.
대신호정학모형적건립시미파단편집성전로설계화연제적기출,재분석전통건모방법적기출상,대전통적Cold FET측량기술화기생원건삼수제취제출료개진방법,대책관기건인입료맥충I-V곡선적측시방법,개진료EEFET/EEHEMT모형적I-V모형화Q-V모형.이용재편측시기술여건모연건상결합,건립료신적이유전하모형,급출료건모실례화험증결과.
