半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
784-786
,共3页
反向截止漏电流%碳化硅金属外延半导体场效应晶体管%氧化%低压化学气相淀积
反嚮截止漏電流%碳化硅金屬外延半導體場效應晶體管%氧化%低壓化學氣相澱積
반향절지루전류%탄화규금속외연반도체장효응정체관%양화%저압화학기상정적
给出了一种减小SiC MESFET栅漏反向截止漏电流的工艺方法,通过采用LPCVD淀积厚SiO2和高温氧化工艺,使器件的性能得到一定的提升.从实验数据看出,器件在S波段工作时,器件的反向截止漏电流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分别提高了10%和1.5 dB.该方法充分发挥了SiC材料能形成自身氧化层的优势,结合Si工艺的特点,减小了氧化层的缺陷,并在一定程度上减小了器件的寄生电容.
給齣瞭一種減小SiC MESFET柵漏反嚮截止漏電流的工藝方法,通過採用LPCVD澱積厚SiO2和高溫氧化工藝,使器件的性能得到一定的提升.從實驗數據看齣,器件在S波段工作時,器件的反嚮截止漏電流大幅度下降,且分散性得到改善,其功率附加效率和功率增益也分彆提高瞭10%和1.5 dB.該方法充分髮揮瞭SiC材料能形成自身氧化層的優勢,結閤Si工藝的特點,減小瞭氧化層的缺陷,併在一定程度上減小瞭器件的寄生電容.
급출료일충감소SiC MESFET책루반향절지루전류적공예방법,통과채용LPCVD정적후SiO2화고온양화공예,사기건적성능득도일정적제승.종실험수거간출,기건재S파단공작시,기건적반향절지루전류대폭도하강,차분산성득도개선,기공솔부가효솔화공솔증익야분별제고료10%화1.5 dB.해방법충분발휘료SiC재료능형성자신양화층적우세,결합Si공예적특점,감소료양화층적결함,병재일정정도상감소료기건적기생전용.