半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
10期
973-975
,共3页
二氧化钛%薄膜%压敏特性%择优取向%厚度
二氧化鈦%薄膜%壓敏特性%擇優取嚮%厚度
이양화태%박막%압민특성%택우취향%후도
对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究.首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜.XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600～800 ℃时呈现(200)择优取向性.I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压.进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化.
對熱氧化製備的TiO2薄膜的低壓壓敏特性進行瞭研究.首先利用直流磁控濺射方法在重摻Si襯底上沉積一層金屬鈦膜,然後在退火爐中熱氧化得到TiO2薄膜.XRD分析結果錶明,Ti金屬膜熱氧化所得的TiO2薄膜為金紅石結構,噹熱氧化溫度600～800 ℃時呈現(200)擇優取嚮性.I-V測試結果錶明,擇優取嚮的TiO2薄膜相對非擇優取嚮的TiO2薄膜具有更高的壓敏閾值電壓.進一步分析錶明,閾值電壓與擇優取嚮性的關繫起源于薄膜厚度的變化.
대열양화제비적TiO2박막적저압압민특성진행료연구.수선이용직류자공천사방법재중참Si츤저상침적일층금속태막,연후재퇴화로중열양화득도TiO2박막.XRD분석결과표명,Ti금속막열양화소득적TiO2박막위금홍석결구,당열양화온도600～800 ℃시정현(200)택우취향성.I-V측시결과표명,택우취향적TiO2박막상대비택우취향적TiO2박막구유경고적압민역치전압.진일보분석표명,역치전압여택우취향성적관계기원우박막후도적변화.
