微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
8期
507-510
,共4页
杨慧%王三胜%郭恺%褚向华%徐炎
楊慧%王三勝%郭愷%褚嚮華%徐炎
양혜%왕삼성%곽개%저향화%서염
磁传感器%巨磁阻抗(GMI)%磁场退火%激励电流%灵敏度%线性度
磁傳感器%巨磁阻抗(GMI)%磁場退火%激勵電流%靈敏度%線性度
자전감기%거자조항(GMI)%자장퇴화%격려전류%령민도%선성도
介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%.在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计.通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传感器输出性能并给出了典型结果.在常温下,非晶带激励电流频率为10 MHz时得到了非晶带的最佳激励电流幅值,为15 mA,并测得H-V转换曲线.传感器在开环和闭环下进行了对比试验,在测量磁场范围±1Oe(1 A· m-1 =4π×10-3Oe)内得到磁传感器灵敏度为219 mV/Oe,线性度为10.8%.其在弱磁探测领域有较好的应用前景.
介紹瞭非晶帶產生巨磁阻抗(GMI)效應的機理,對Co基非晶帶進行瞭磁場後退火處理,磁阻抗比得到顯著提高,為179%.在此基礎上設計瞭一種基于GMI效應的磁傳感器電路,詳述瞭各箇環節的電路設計.通過優化傳感器電路相關的工作參數,改善瞭傳感器輸齣性能併給齣瞭典型結果.在常溫下,非晶帶激勵電流頻率為10 MHz時得到瞭非晶帶的最佳激勵電流幅值,為15 mA,併測得H-V轉換麯線.傳感器在開環和閉環下進行瞭對比試驗,在測量磁場範圍±1Oe(1 A· m-1 =4π×10-3Oe)內得到磁傳感器靈敏度為219 mV/Oe,線性度為10.8%.其在弱磁探測領域有較好的應用前景.
개소료비정대산생거자조항(GMI)효응적궤리,대Co기비정대진행료자장후퇴화처리,자조항비득도현저제고,위179%.재차기출상설계료일충기우GMI효응적자전감기전로,상술료각개배절적전로설계.통과우화전감기전로상관적공작삼수,개선료전감기수출성능병급출료전형결과.재상온하,비정대격려전류빈솔위10 MHz시득도료비정대적최가격려전류폭치,위15 mA,병측득H-V전환곡선.전감기재개배화폐배하진행료대비시험,재측량자장범위±1Oe(1 A· m-1 =4π×10-3Oe)내득도자전감기령민도위219 mV/Oe,선성도위10.8%.기재약자탐측영역유교호적응용전경.
