半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
1期
33-36,41
,共5页
林娜娜%邢哲%刘玉岭%孙鸣%刘利宾
林娜娜%邢哲%劉玉嶺%孫鳴%劉利賓
림나나%형철%류옥령%손명%류리빈
钨插塞%化学机械抛光%碱性抛光液%去除速率%表面粗糙度
鎢插塞%化學機械拋光%堿性拋光液%去除速率%錶麵粗糙度
오삽새%화학궤계포광%감성포광액%거제속솔%표면조조도
钨插塞化学机械平坦化(CMP)是极大规模集成电路(GLSI)铜互连多层布线的关键工艺之一.首先研究了钨在碱性条件下化学机械抛光机理；接着采用单因素实验方法分析了抛光液组分中纳米SiO2水溶胶磨料、氧化剂、有机碱(pH调节剂)和表面活性剂对W-CMP速率的影响.最后通过正交优化实验,确定抛光液最优配比为V(纳米SiO2水溶胶)∶V(去离子水)=1∶1,氧化剂体积分数为20 mL/L,pH调节剂体积分数为4 mL/L,表面活性剂体积分数为20 mL/L时,此时抛光液的pH值为10.36,获得的去除速率为85 nm/min,表面粗糙度为0.20 nm.
鎢插塞化學機械平坦化(CMP)是極大規模集成電路(GLSI)銅互連多層佈線的關鍵工藝之一.首先研究瞭鎢在堿性條件下化學機械拋光機理；接著採用單因素實驗方法分析瞭拋光液組分中納米SiO2水溶膠磨料、氧化劑、有機堿(pH調節劑)和錶麵活性劑對W-CMP速率的影響.最後通過正交優化實驗,確定拋光液最優配比為V(納米SiO2水溶膠)∶V(去離子水)=1∶1,氧化劑體積分數為20 mL/L,pH調節劑體積分數為4 mL/L,錶麵活性劑體積分數為20 mL/L時,此時拋光液的pH值為10.36,穫得的去除速率為85 nm/min,錶麵粗糙度為0.20 nm.
오삽새화학궤계평탄화(CMP)시겁대규모집성전로(GLSI)동호련다층포선적관건공예지일.수선연구료오재감성조건하화학궤계포광궤리；접착채용단인소실험방법분석료포광액조분중납미SiO2수용효마료、양화제、유궤감(pH조절제)화표면활성제대W-CMP속솔적영향.최후통과정교우화실험,학정포광액최우배비위V(납미SiO2수용효)∶V(거리자수)=1∶1,양화제체적분수위20 mL/L,pH조절제체적분수위4 mL/L,표면활성제체적분수위20 mL/L시,차시포광액적pH치위10.36,획득적거제속솔위85 nm/min,표면조조도위0.20 nm.
