微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
5期
630-633,637
,共5页
电流基准源%两级温度补偿%温度系数
電流基準源%兩級溫度補償%溫度繫數
전류기준원%량급온도보상%온도계수
提出了一种利用分支电流的正、负温度系数(TC)进行两级温度补偿的新型设计方法,并用标准CMOS工艺实现了一个20μA电流偏置基准源.其结构简单,各参数匹配要求较低,且具有多项参数的设计灵活性,详细探讨了两级温度补偿参数间的各种关系,并给出了相应的解析表达式.电路还包含自启动电路,可避免零电流工作状态的出现.经特许半导体公司0.35μm 2P4M工艺流片,芯片测试结果表明,在0～120℃范围内,其温度系数达35.63 ppm/℃.
提齣瞭一種利用分支電流的正、負溫度繫數(TC)進行兩級溫度補償的新型設計方法,併用標準CMOS工藝實現瞭一箇20μA電流偏置基準源.其結構簡單,各參數匹配要求較低,且具有多項參數的設計靈活性,詳細探討瞭兩級溫度補償參數間的各種關繫,併給齣瞭相應的解析錶達式.電路還包含自啟動電路,可避免零電流工作狀態的齣現.經特許半導體公司0.35μm 2P4M工藝流片,芯片測試結果錶明,在0～120℃範圍內,其溫度繫數達35.63 ppm/℃.
제출료일충이용분지전류적정、부온도계수(TC)진행량급온도보상적신형설계방법,병용표준CMOS공예실현료일개20μA전류편치기준원.기결구간단,각삼수필배요구교저,차구유다항삼수적설계령활성,상세탐토료량급온도보상삼수간적각충관계,병급출료상응적해석표체식.전로환포함자계동전로,가피면령전류공작상태적출현.경특허반도체공사0.35μm 2P4M공예류편,심편측시결과표명,재0～120℃범위내,기온도계수체35.63 ppm/℃.
