半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
11期
1007-1010
,共4页
陈昊%商庆杰%郝建民%齐国虎%霍玉柱%杨克武
陳昊%商慶傑%郝建民%齊國虎%霍玉柱%楊剋武
진호%상경걸%학건민%제국호%곽옥주%양극무
4H-SiC%半绝缘衬底%金属肖特基场效应晶体管%外延%微波%功率器件
4H-SiC%半絕緣襯底%金屬肖特基場效應晶體管%外延%微波%功率器件
4H-SiC%반절연츤저%금속초특기장효응정체관%외연%미파%공솔기건
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.
以國產襯底實現SiC加工工藝鏈為目標,採用國產4H-SiC半絕緣襯底材料外延得到4H-SiC MESFET結構材料.外延片XRD半寬43.2 arcs,方塊電阻121點均勻性18.39%,隨後製備齣的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件總柵寬250 μm,飽和電流密度680 mA/mm,跨導約為20 mS/mm,在20 V下的柵漏截止漏電為10 μA,2 mA下柵漏擊穿電壓為80 V.比例佔總數的70%以上.初步實現從襯底到外延,進而實現器件的完整工藝鏈,為進一步的工藝循環打下良好基礎.
이국산츤저실현SiC가공공예련위목표,채용국산4H-SiC반절연츤저재료외연득도4H-SiC MESFET결구재료.외연편XRD반관43.2 arcs,방괴전조121점균균성18.39%,수후제비출적구유직류특성적4H-SiC MESFET기건관심,기건총책관250 μm,포화전류밀도680 mA/mm,과도약위20 mS/mm,재20 V하적책루절지루전위10 μA,2 mA하책루격천전압위80 V.비례점총수적70%이상.초보실현종츤저도외연,진이실현기건적완정공예련,위진일보적공예순배타하량호기출.
