半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
351-354
,共4页
杨柳滨%江素华%郝茂盛%李越生
楊柳濱%江素華%郝茂盛%李越生
양류빈%강소화%학무성%리월생
分光光度法%Forouhi-Bloomer离散方程%铝镓氦%组分分析
分光光度法%Forouhi-Bloomer離散方程%鋁鎵氦%組分分析
분광광도법%Forouhi-Bloomer리산방정%려가양%조분분석
化合物半导体的组分与膜厚等是光电子器件工艺监控中的关键工艺参数,因为这些参数直接影响着器件的光学和电学等性能.介绍了通过分光光度法和Forouhi-Bloomer离散方程相结合的方法测定化合物半导体薄膜折射率n与膜厚d,通过材料组分与折射率之间关系的分析进而得到化合物组分x,该结果用SIMS和XRD方法得到验证.由于分光光度法能够快速无损地测量反射率,并且由该反射率能够更准确地测到其组分信息,因此在实际的生产在线监控和工艺改进中有良好的应用前景.
化閤物半導體的組分與膜厚等是光電子器件工藝鑑控中的關鍵工藝參數,因為這些參數直接影響著器件的光學和電學等性能.介紹瞭通過分光光度法和Forouhi-Bloomer離散方程相結閤的方法測定化閤物半導體薄膜摺射率n與膜厚d,通過材料組分與摺射率之間關繫的分析進而得到化閤物組分x,該結果用SIMS和XRD方法得到驗證.由于分光光度法能夠快速無損地測量反射率,併且由該反射率能夠更準確地測到其組分信息,因此在實際的生產在線鑑控和工藝改進中有良好的應用前景.
화합물반도체적조분여막후등시광전자기건공예감공중적관건공예삼수,인위저사삼수직접영향착기건적광학화전학등성능.개소료통과분광광도법화Forouhi-Bloomer리산방정상결합적방법측정화합물반도체박막절사솔n여막후d,통과재료조분여절사솔지간관계적분석진이득도화합물조분x,해결과용SIMS화XRD방법득도험증.유우분광광도법능구쾌속무손지측량반사솔,병차유해반사솔능구경준학지측도기조분신식,인차재실제적생산재선감공화공예개진중유량호적응용전경.
