厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2010年
5期
640-644
,共5页
颜黄苹%程翔%李继芳%黄元庆
顏黃蘋%程翔%李繼芳%黃元慶
안황평%정상%리계방%황원경
光接收芯片%BCD%探测器%前置放大器
光接收芯片%BCD%探測器%前置放大器
광접수심편%BCD%탐측기%전치방대기
采用0.5 μm BCD工艺研制了一种850 nm光接收芯片,包括光电探测器、跨阻前置放大器及后续处理电路.通过器件模拟设计并分析了基于BCD工艺的光电探测器的结构及其特性;设计光接收芯片的增益约为43.23 kΩ,上限截止频率为700 MHz.测试结果表明,探测器暗电流为pA量级,响应度为0.08 A/W.光接收芯片功耗约为100 mW,电噪声为4 nW;在输入313 Mbit/s非归零伪随机二进制序列调制的信号及无误码的情况下,灵敏度为-13.0 dB·m;该光接收芯片速率可达622 Mbit/s.
採用0.5 μm BCD工藝研製瞭一種850 nm光接收芯片,包括光電探測器、跨阻前置放大器及後續處理電路.通過器件模擬設計併分析瞭基于BCD工藝的光電探測器的結構及其特性;設計光接收芯片的增益約為43.23 kΩ,上限截止頻率為700 MHz.測試結果錶明,探測器暗電流為pA量級,響應度為0.08 A/W.光接收芯片功耗約為100 mW,電譟聲為4 nW;在輸入313 Mbit/s非歸零偽隨機二進製序列調製的信號及無誤碼的情況下,靈敏度為-13.0 dB·m;該光接收芯片速率可達622 Mbit/s.
채용0.5 μm BCD공예연제료일충850 nm광접수심편,포괄광전탐측기、과조전치방대기급후속처리전로.통과기건모의설계병분석료기우BCD공예적광전탐측기적결구급기특성;설계광접수심편적증익약위43.23 kΩ,상한절지빈솔위700 MHz.측시결과표명,탐측기암전류위pA량급,향응도위0.08 A/W.광접수심편공모약위100 mW,전조성위4 nW;재수입313 Mbit/s비귀령위수궤이진제서렬조제적신호급무오마적정황하,령민도위-13.0 dB·m;해광접수심편속솔가체622 Mbit/s.
