电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2010年
12期
1-4,19
,共5页
数控衰减器%PHEMT%衰减精度
數控衰減器%PHEMT%衰減精度
수공쇠감기%PHEMT%쇠감정도
衰减器作为幅度调制器件被广泛用于电子战、雷达、测试设备、通信等各种微波领域.随着信息革命的深入发展,通信、雷达、测试设备等各种微波领域的电子设备趋向于小型化、低成本,对元器件的体积、功耗、可靠性、使用方便性的要求越来越高.文章介绍了一款采用GaAsPHEMT工艺和金属陶瓷贴片封装制作的L波段高精度单片六位数控衰减器的设计方法和研制结果.测试结果表明在频率为DC～2GHz内,衰减步进0.5dB,衰减范围0～31.5dB,插入损耗IL＜2.5dB,输入输出驻波比VSWR＜1.4,衰减精度|△Ai|＜(0.2+3%Ai)dB.附加相移|△φ|＜3°,控制方式为TTL电平.
衰減器作為幅度調製器件被廣汎用于電子戰、雷達、測試設備、通信等各種微波領域.隨著信息革命的深入髮展,通信、雷達、測試設備等各種微波領域的電子設備趨嚮于小型化、低成本,對元器件的體積、功耗、可靠性、使用方便性的要求越來越高.文章介紹瞭一款採用GaAsPHEMT工藝和金屬陶瓷貼片封裝製作的L波段高精度單片六位數控衰減器的設計方法和研製結果.測試結果錶明在頻率為DC～2GHz內,衰減步進0.5dB,衰減範圍0～31.5dB,插入損耗IL＜2.5dB,輸入輸齣駐波比VSWR＜1.4,衰減精度|△Ai|＜(0.2+3%Ai)dB.附加相移|△φ|＜3°,控製方式為TTL電平.
쇠감기작위폭도조제기건피엄범용우전자전、뢰체、측시설비、통신등각충미파영역.수착신식혁명적심입발전,통신、뢰체、측시설비등각충미파영역적전자설비추향우소형화、저성본,대원기건적체적、공모、가고성、사용방편성적요구월래월고.문장개소료일관채용GaAsPHEMT공예화금속도자첩편봉장제작적L파단고정도단편육위수공쇠감기적설계방법화연제결과.측시결과표명재빈솔위DC～2GHz내,쇠감보진0.5dB,쇠감범위0～31.5dB,삽입손모IL＜2.5dB,수입수출주파비VSWR＜1.4,쇠감정도|△Ai|＜(0.2+3%Ai)dB.부가상이|△φ|＜3°,공제방식위TTL전평.
