半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2004年
1期
19-21
,共3页
InGaAs四象限探测器%串扰%异质结
InGaAs四象限探測器%串擾%異質結
InGaAs사상한탐측기%천우%이질결
采用InP/InGaAs/InP双异质结结构研制了对人眼安全的1.54～1.57 μm InGaAs四象限探测器.对器件结构设计和材料选择进行了讨论.在对响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行计算与分析的基础上,优化了器件结构参数.实验结果表明,器件响应度达到0.90 A/W,响应时间为2 ns,暗电流低于5 nA,象限串扰达到1%(象限间隔20 μm),象限均匀性为4%.
採用InP/InGaAs/InP雙異質結結構研製瞭對人眼安全的1.54～1.57 μm InGaAs四象限探測器.對器件結構設計和材料選擇進行瞭討論.在對響應時間、象限串擾、暗電流和響應度等參數進行計算與分析的基礎上,優化瞭器件結構參數.實驗結果錶明,器件響應度達到0.90 A/W,響應時間為2 ns,暗電流低于5 nA,象限串擾達到1%(象限間隔20 μm),象限均勻性為4%.
채용InP/InGaAs/InP쌍이질결결구연제료대인안안전적1.54～1.57 μm InGaAs사상한탐측기.대기건결구설계화재료선택진행료토론.재대향응시간、상한천우、암전류화향응도등삼수진행계산여분석적기출상,우화료기건결구삼수.실험결과표명,기건향응도체도0.90 A/W,향응시간위2 ns,암전류저우5 nA,상한천우체도1%(상한간격20 μm),상한균균성위4%.
