西安电子科技大学学报(自然科学版)
西安電子科技大學學報(自然科學版)
서안전자과기대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY
2004年
1期
63-66,75
,共5页
王悦湖%张义门%张玉明%陈锐标%王雷%周拥华
王悅湖%張義門%張玉明%陳銳標%王雷%週擁華
왕열호%장의문%장옥명%진예표%왕뢰%주옹화
碳化硅%肖特基势垒二极管%伏安特性%热电子发射理论
碳化硅%肖特基勢壘二極管%伏安特性%熱電子髮射理論
탄화규%초특기세루이겁관%복안특성%열전자발사이론
采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H-SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297 K至677 K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30 V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明镍4H-SiC肖特基二极管有较好的整流特性,在正向偏压条件下,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子在297～677 K的温度范围内从1.165增加到1.872,肖特基势垒高度的变化范围为0.916～2.117 eV,正向导通电压为0.5 V.
採用自行研製的工作在800℃的半導體器件高溫測試裝置,對Ni/4H-SiC肖特基二極管的伏安特性在常溫297 K至677 K的溫度範圍內進行瞭測量,錶明溫度升高對正嚮特性的影響非常顯著,而對較低偏置(30 V以下)條件下的反嚮特性影響則比較小.對實驗結果進行瞭比較分析,I-V特性測量說明鎳4H-SiC肖特基二極管有較好的整流特性,在正嚮偏壓條件下,熱電子髮射是其主要的輸運機理,理想因子在297～677 K的溫度範圍內從1.165增加到1.872,肖特基勢壘高度的變化範圍為0.916～2.117 eV,正嚮導通電壓為0.5 V.
채용자행연제적공작재800℃적반도체기건고온측시장치,대Ni/4H-SiC초특기이겁관적복안특성재상온297 K지677 K적온도범위내진행료측량,표명온도승고대정향특성적영향비상현저,이대교저편치(30 V이하)조건하적반향특성영향칙비교소.대실험결과진행료비교분석,I-V특성측량설명얼4H-SiC초특기이겁관유교호적정류특성,재정향편압조건하,열전자발사시기주요적수운궤리,이상인자재297～677 K적온도범위내종1.165증가도1.872,초특기세루고도적변화범위위0.916～2.117 eV,정향도통전압위0.5 V.
