电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
2期
7-9
,共3页
张启龙%杨辉%魏文霖%邹佳丽%尤源
張啟龍%楊輝%魏文霖%鄒佳麗%尤源
장계룡%양휘%위문림%추가려%우원
介质陶瓷%微波性能%低温烧结%铌酸铋
介質陶瓷%微波性能%低溫燒結%鈮痠鉍
개질도자%미파성능%저온소결%니산필
研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响.结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900℃,达到96%的理论密度,在920℃保温4 h,材料的εr为41,Q·f为13 500 GHz.
研究瞭ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3對BiNbO4陶瓷燒結特性及介電性能的影響.結果錶明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促進燒結,大幅度降低BiNbO4的相變溫度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,對BiNbO4的介電常數、Q值影響較大;而添加1%質量分數的ZnO-B2O3,緻密化溫度降低到900℃,達到96%的理論密度,在920℃保溫4 h,材料的εr為41,Q·f為13 500 GHz.
연구료ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3대BiNbO4도자소결특성급개전성능적영향.결과표명:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3액상존재우정립화정계상,불동정도지촉진소결,대폭도강저BiNbO4적상변온도;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3적가입,대BiNbO4적개전상수、Q치영향교대;이첨가1%질량분수적ZnO-B2O3,치밀화온도강저도900℃,체도96%적이론밀도,재920℃보온4 h,재료적εr위41,Q·f위13 500 GHz.
