人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
6期
1056-1058
,共3页
缪国庆%殷景志%金亿鑫%蒋红%张铁民%宋航
繆國慶%慇景誌%金億鑫%蔣紅%張鐵民%宋航
무국경%은경지%금억흠%장홍%장철민%송항
金属有机化学气相沉积%铟镓砷%探测器
金屬有機化學氣相沉積%銦鎵砷%探測器
금속유궤화학기상침적%인가신%탐측기
采用LPMOCVD技术生长了InGaAs红外探测器器件结构材料,其晶格失配为2.19×10-4.利用锌扩散制备探测器单元器件,光谱响应范围为0.90～1.70μm,在1.95V偏压下,暗电流为5.75×10-5A,在反向偏压为-5V时,电容为6.96×10-12F.探测器波段探测率为2.08×1011cmHz1/2W-1.
採用LPMOCVD技術生長瞭InGaAs紅外探測器器件結構材料,其晶格失配為2.19×10-4.利用鋅擴散製備探測器單元器件,光譜響應範圍為0.90～1.70μm,在1.95V偏壓下,暗電流為5.75×10-5A,在反嚮偏壓為-5V時,電容為6.96×10-12F.探測器波段探測率為2.08×1011cmHz1/2W-1.
채용LPMOCVD기술생장료InGaAs홍외탐측기기건결구재료,기정격실배위2.19×10-4.이용자확산제비탐측기단원기건,광보향응범위위0.90～1.70μm,재1.95V편압하,암전류위5.75×10-5A,재반향편압위-5V시,전용위6.96×10-12F.탐측기파단탐측솔위2.08×1011cmHz1/2W-1.
