物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2007年
6期
841-845
,共5页
王科范%刘金锋%刘忠良%徐彭寿%韦世强
王科範%劉金鋒%劉忠良%徐彭壽%韋世彊
왕과범%류금봉%류충량%서팽수%위세강
Ge量子点%扩展的X射线精细吸收结构%互扩散
Ge量子點%擴展的X射線精細吸收結構%互擴散
Ge양자점%확전적X사선정세흡수결구%호확산
通过调节生长参数,在Si(001)衬底表面利用分子束外延(MBE)方法生长得到尺寸小于10 nm的高密度Ge量子点.扩展的X射线吸收精细结构(EXAFS)的研究结果表明,在500℃和550℃制备的小尺寸量子点内,GeSi合金的含量分别为75%和80%.经热力学分析,在量子点生长完成后的退火过程中,可能存在Si原子从衬底表面向量子点表面扩散,并和Ge原子通过表面偏析发生混合的过程.另一方面,小尺寸量子点较高的高宽比,也会导致形成较高含量的GeSi合金.
通過調節生長參數,在Si(001)襯底錶麵利用分子束外延(MBE)方法生長得到呎吋小于10 nm的高密度Ge量子點.擴展的X射線吸收精細結構(EXAFS)的研究結果錶明,在500℃和550℃製備的小呎吋量子點內,GeSi閤金的含量分彆為75%和80%.經熱力學分析,在量子點生長完成後的退火過程中,可能存在Si原子從襯底錶麵嚮量子點錶麵擴散,併和Ge原子通過錶麵偏析髮生混閤的過程.另一方麵,小呎吋量子點較高的高寬比,也會導緻形成較高含量的GeSi閤金.
통과조절생장삼수,재Si(001)츤저표면이용분자속외연(MBE)방법생장득도척촌소우10 nm적고밀도Ge양자점.확전적X사선흡수정세결구(EXAFS)적연구결과표명,재500℃화550℃제비적소척촌양자점내,GeSi합금적함량분별위75%화80%.경열역학분석,재양자점생장완성후적퇴화과정중,가능존재Si원자종츤저표면향양자점표면확산,병화Ge원자통과표면편석발생혼합적과정.령일방면,소척촌양자점교고적고관비,야회도치형성교고함량적GeSi합금.
