电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
10期
17-20
,共4页
静态随机存储器%存储单元%译码器%灵敏放大器%地址变化探测电路
靜態隨機存儲器%存儲單元%譯碼器%靈敏放大器%地阯變化探測電路
정태수궤존저기%존저단원%역마기%령민방대기%지지변화탐측전로
在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展.文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns.
在集成電路設計製造水平不斷提高的今天,SRAM存儲器不斷朝著大容量、高速度、低功耗的方嚮髮展.文章提齣瞭一款異步256kB(256k×1)SRAM的設計,該存儲器採用瞭六管CMOS存儲單元、鎖存器型靈敏放大器、ATD電路,採用0.5μm體硅CMOS工藝,數據存取時間為12ns.
재집성전로설계제조수평불단제고적금천,SRAM존저기불단조착대용량、고속도、저공모적방향발전.문장제출료일관이보256kB(256k×1)SRAM적설계,해존저기채용료륙관CMOS존저단원、쇄존기형령민방대기、ATD전로,채용0.5μm체규CMOS공예,수거존취시간위12ns.
