半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1357-1359
,共3页
高电子迁移率晶体管%太赫兹场%磁场%响应率
高電子遷移率晶體管%太赫玆場%磁場%響應率
고전자천이솔정체관%태혁자장%자장%향응솔
外加太赫兹(THz)场垂直入射高电子迁移率晶体管(HEMT),使得HEMT中产生的载流子激发沟道内的等离子振荡,振荡频率处于太赫兹范围.论文研究了外加磁场对该器件电流特性的影响.结果表明,随着外加磁场强度的增加,HEMT的响应率峰值发生蓝移.因此通过改变磁场能够对HEMT的振荡响应实现有效调谐.
外加太赫玆(THz)場垂直入射高電子遷移率晶體管(HEMT),使得HEMT中產生的載流子激髮溝道內的等離子振盪,振盪頻率處于太赫玆範圍.論文研究瞭外加磁場對該器件電流特性的影響.結果錶明,隨著外加磁場彊度的增加,HEMT的響應率峰值髮生藍移.因此通過改變磁場能夠對HEMT的振盪響應實現有效調諧.
외가태혁자(THz)장수직입사고전자천이솔정체관(HEMT),사득HEMT중산생적재류자격발구도내적등리자진탕,진탕빈솔처우태혁자범위.논문연구료외가자장대해기건전류특성적영향.결과표명,수착외가자장강도적증가,HEMT적향응솔봉치발생람이.인차통과개변자장능구대HEMT적진탕향응실현유효조해.
