固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
2期
180-184,234
,共6页
应变硅锗%金属-氧化物-半导体场效应晶体管%阈值电压%准二维模型
應變硅鍺%金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%閾值電壓%準二維模型
응변규타%금속-양화물-반도체장효응정체관%역치전압%준이유모형
首先建立了应变SiGe沟道PMOSFET的一维阈值电压模型,在此基础上,通过考虑沟道横向电场的影响,将其扩展到适用于短沟道的准二维阈值电压模型,与二维数值模拟结果呈现出好的符合.利用此模型,模拟分析了各结构参数对器件阈值电压的影响,并简要讨论了无Si cap层器件的阈值电压.
首先建立瞭應變SiGe溝道PMOSFET的一維閾值電壓模型,在此基礎上,通過攷慮溝道橫嚮電場的影響,將其擴展到適用于短溝道的準二維閾值電壓模型,與二維數值模擬結果呈現齣好的符閤.利用此模型,模擬分析瞭各結構參數對器件閾值電壓的影響,併簡要討論瞭無Si cap層器件的閾值電壓.
수선건립료응변SiGe구도PMOSFET적일유역치전압모형,재차기출상,통과고필구도횡향전장적영향,장기확전도괄용우단구도적준이유역치전압모형,여이유수치모의결과정현출호적부합.이용차모형,모의분석료각결구삼수대기건역치전압적영향,병간요토론료무Si cap층기건적역치전압.
