固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
454-459
,共6页
张如亮%高勇%王彩琳%苏翠
張如亮%高勇%王綵琳%囌翠
장여량%고용%왕채림%소취
电力半导体器件%门极换流晶闸管%波状p基区%制造工艺方案%门极挖槽
電力半導體器件%門極換流晶閘管%波狀p基區%製造工藝方案%門極挖槽
전력반도체기건%문겁환류정갑관%파상p기구%제조공예방안%문겁알조
波状基区结构是一种电力半导体器件的最新高功率制造技术,在p基区中引入该结构可以改善IECGCT的RBSOA特性与门极开关均匀性.提出该器件的工艺制造方案,数值模拟结果表明建议方案可行,所得器件结构参数符合目标要求.模拟并分析了门极挖槽工艺对波状基区形状的影响及铝杂质扩散对阳极结构的影响,挖槽工艺顺序和挖槽深度对阴极掩蔽效果有显著影响,而建议方案可避免Al杂质在阳极扩散导致的连通现象.
波狀基區結構是一種電力半導體器件的最新高功率製造技術,在p基區中引入該結構可以改善IECGCT的RBSOA特性與門極開關均勻性.提齣該器件的工藝製造方案,數值模擬結果錶明建議方案可行,所得器件結構參數符閤目標要求.模擬併分析瞭門極挖槽工藝對波狀基區形狀的影響及鋁雜質擴散對暘極結構的影響,挖槽工藝順序和挖槽深度對陰極掩蔽效果有顯著影響,而建議方案可避免Al雜質在暘極擴散導緻的連通現象.
파상기구결구시일충전력반도체기건적최신고공솔제조기술,재p기구중인입해결구가이개선IECGCT적RBSOA특성여문겁개관균균성.제출해기건적공예제조방안,수치모의결과표명건의방안가행,소득기건결구삼수부합목표요구.모의병분석료문겁알조공예대파상기구형상적영향급려잡질확산대양겁결구적영향,알조공예순서화알조심도대음겁엄폐효과유현저영향,이건의방안가피면Al잡질재양겁확산도치적련통현상.