固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
252-256
,共5页
静电感应晶体管%保护沟槽%寄生电流%耐压容量
靜電感應晶體管%保護溝槽%寄生電流%耐壓容量
정전감응정체관%보호구조%기생전류%내압용량
静电感应晶体管(SIT)有源区外围边界各种寄生电流的存在,不仅造成了阻断态下漏电增大,导致Ⅰ-Ⅴ特性异常,造成器件性能劣化,并且降低了器件的成品率.在器件有源区周围设计了保护沟槽,形成了槽台结构的孤岛,从物理上有效地切断了可能的寄生电流,改善了器件的耐压能力,优化了Ⅰ-Ⅴ特性.槽台结构通过对表面的台面造型来控制表面电场,能有效提高器件的击穿电压,改善器件电性能.
靜電感應晶體管(SIT)有源區外圍邊界各種寄生電流的存在,不僅造成瞭阻斷態下漏電增大,導緻Ⅰ-Ⅴ特性異常,造成器件性能劣化,併且降低瞭器件的成品率.在器件有源區週圍設計瞭保護溝槽,形成瞭槽檯結構的孤島,從物理上有效地切斷瞭可能的寄生電流,改善瞭器件的耐壓能力,優化瞭Ⅰ-Ⅴ特性.槽檯結構通過對錶麵的檯麵造型來控製錶麵電場,能有效提高器件的擊穿電壓,改善器件電性能.
정전감응정체관(SIT)유원구외위변계각충기생전류적존재,불부조성료조단태하루전증대,도치Ⅰ-Ⅴ특성이상,조성기건성능열화,병차강저료기건적성품솔.재기건유원구주위설계료보호구조,형성료조태결구적고도,종물리상유효지절단료가능적기생전류,개선료기건적내압능력,우화료Ⅰ-Ⅴ특성.조태결구통과대표면적태면조형래공제표면전장,능유효제고기건적격천전압,개선기건전성능.
