半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
175-178
,共4页
马通达%屠海令%邵贝羚%刘安生%胡广勇
馬通達%屠海令%邵貝羚%劉安生%鬍廣勇
마통체%도해령%소패령%류안생%호엄용
TAD-DCD%RLM%应变Si
TAD-DCD%RLM%應變Si
TAD-DCD%RLM%응변Si
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.
運用高分辨X射線雙晶衍射(DCD)、三軸晶衍射(TAD)和TAD圖譜對絕緣體上Si/SiGe/Si異質結構進行錶徵.利用TAD結閤DCD(TAD-DCD)對稱和非對稱衍射測定瞭體Si襯底和外延層以及外延層之間的取嚮關繫、SiGe外延層的Ge含量及其弛豫度等異質外延生長的重要參數.TAD倒易空間圖譜能夠給齣全麵的晶體結構信息.高分辨率TAD倒易空間圖譜可實現對應變Si層應變量的測定.
운용고분변X사선쌍정연사(DCD)、삼축정연사(TAD)화TAD도보대절연체상Si/SiGe/Si이질결구진행표정.이용TAD결합DCD(TAD-DCD)대칭화비대칭연사측정료체Si츤저화외연층이급외연층지간적취향관계、SiGe외연층적Ge함량급기이예도등이질외연생장적중요삼수.TAD도역공간도보능구급출전면적정체결구신식.고분변솔TAD도역공간도보가실현대응변Si층응변량적측정.
