固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
3期
335-338
,共4页
卢盛辉%杜江锋%靳翀%周伟%杨谟华
盧盛輝%杜江鋒%靳翀%週偉%楊謨華
로성휘%두강봉%근충%주위%양모화
铝镓氯/氮化镓%高电子迁移率晶体管%电流崩塌%表面态%阶跃脉冲
鋁鎵氯/氮化鎵%高電子遷移率晶體管%電流崩塌%錶麵態%階躍脈遲
려가록/담화가%고전자천이솔정체관%전류붕탑%표면태%계약맥충
通过对AlGaN/GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试,发现栅脉冲相同时,HEMT开启时同在线性区随VDS增加而增加,而在饱和区随VDS增加而减小;在VDS一定时,器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加.基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析,提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫,并建立漏极电流响应过程拟合算式.拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为τ1=0.23 s、τ2=1.38 s,且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3%.该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索.
通過對AlGaN/GaN HEMT漏極電流柵階躍脈遲響應實驗測試,髮現柵脈遲相同時,HEMT開啟時同在線性區隨VDS增加而增加,而在飽和區隨VDS增加而減小;在VDS一定時,器件開啟時間隨柵脈遲低電平的降低而增加.基于錶麵態電子釋放過程與ID、VDS和階躍脈遲之間關繫的分析,提齣瞭用快電子與慢電子釋放兩種過程來解釋錶麵態電子弛豫,併建立漏極電流響應過程擬閤算式.擬閤得到與快、慢電子釋放相關的時間常數分彆為τ1=0.23 s、τ2=1.38 s,且擬閤麯線與實驗結果的最大誤差不超過測試值的3%.該研究結果有助于電流崩塌機理的進一步探索.
통과대AlGaN/GaN HEMT루겁전류책계약맥충향응실험측시,발현책맥충상동시,HEMT개계시동재선성구수VDS증가이증가,이재포화구수VDS증가이감소;재VDS일정시,기건개계시간수책맥충저전평적강저이증가.기우표면태전자석방과정여ID、VDS화계약맥충지간관계적분석,제출료용쾌전자여만전자석방량충과정래해석표면태전자이예,병건립루겁전류향응과정의합산식.의합득도여쾌、만전자석방상관적시간상수분별위τ1=0.23 s、τ2=1.38 s,차의합곡선여실험결과적최대오차불초과측시치적3%.해연구결과유조우전류붕탑궤리적진일보탐색.
