功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2010年
7期
1271-1273,1277
,共4页
陈小庆%孙利杰%邬小鹏%钟泽%傅竹西
陳小慶%孫利傑%鄔小鵬%鐘澤%傅竹西
진소경%손리걸%오소붕%종택%부죽서
3C-SiC%SiC:Al%MOCVD%导电类型
3C-SiC%SiC:Al%MOCVD%導電類型
3C-SiC%SiC:Al%MOCVD%도전류형
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型.用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型.继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高.
用MOCVD方法在Si基片上生長瞭Al摻雜的SiC薄膜,髮現三甲基鋁(TMA)源載氣流量與硅烷流量之比的大小,會決定薄膜的導電類型.用XPS方法測試樣品後髮現,TMA載氣流量與硅烷流量比直接影響Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜顯示齣n型;而Al含量在1.5%～3%之間的時候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜顯示齣p型.繼續增加摻雜源的流量,所得SiC薄膜結晶質量會變得較差,電阻也變得較高.
용MOCVD방법재Si기편상생장료Al참잡적SiC박막,발현삼갑기려(TMA)원재기류량여규완류량지비적대소,회결정박막적도전류형.용XPS방법측시양품후발현,TMA재기류량여규완류량비직접영향Al원자재SiC박막중적함량.Al함량재1.5%이하,Al원자재SiC박막중주요이전극형식(Ali)존재,박막현시출n형;이Al함량재1.5%～3%지간적시후,Al원자주요이체위Si(AlSi)적형식존재,박막현시출p형.계속증가참잡원적류량,소득SiC박막결정질량회변득교차,전조야변득교고.
