半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
122-125
,共4页
王林锋%周建伟%甘小伟%刘利宾%邢少川
王林鋒%週建偉%甘小偉%劉利賓%邢少川
왕림봉%주건위%감소위%류리빈%형소천
流水线模数转换器%采样保持电路%运算放大器%自举开关%增益自举
流水線模數轉換器%採樣保持電路%運算放大器%自舉開關%增益自舉
류수선모수전환기%채양보지전로%운산방대기%자거개관%증익자거
采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器.通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能.该电路采用华润上华(CSMC) 0.5 μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2.测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB.输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB.
採用每級1.5 bit和每級2.5 bit相結閤的方法設計瞭一種10位50 MHz流水線模數轉換器.通過採用自舉開關和增益自舉技術的摺疊式共源共柵運算放大器,保證瞭採樣保持電路和級電路的性能.該電路採用華潤上華(CSMC) 0.5 μm 5 V CMOS工藝進行版圖設計和流片驗證,芯片麵積為5.5 mm2.測試結果錶明:該模數轉換器在採樣頻率為50 MHz,輸入信號頻率為30 kHz時,信號加諧波失真比(SNDR)為56.5 dB,無雜散動態範圍(SFDR)為73.9 dB.輸入頻率為20 MHz時,信號加諧波失真比為52.1 dB,無雜散動態範圍為65.7 dB.
채용매급1.5 bit화매급2.5 bit상결합적방법설계료일충10위50 MHz류수선모수전환기.통과채용자거개관화증익자거기술적절첩식공원공책운산방대기,보증료채양보지전로화급전로적성능.해전로채용화윤상화(CSMC) 0.5 μm 5 V CMOS공예진행판도설계화류편험증,심편면적위5.5 mm2.측시결과표명:해모수전환기재채양빈솔위50 MHz,수입신호빈솔위30 kHz시,신호가해파실진비(SNDR)위56.5 dB,무잡산동태범위(SFDR)위73.9 dB.수입빈솔위20 MHz시,신호가해파실진비위52.1 dB,무잡산동태범위위65.7 dB.