发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
5期
509-513
,共5页
张建伟%宁永强%张星%张建%徐华伟%张金龙%曾玉刚%王立军
張建偉%寧永彊%張星%張建%徐華偉%張金龍%曾玉剛%王立軍
장건위%저영강%장성%장건%서화위%장금룡%증옥강%왕립군
归-化反射率%各向异性反射率%在线监测技术%MOCVD
歸-化反射率%各嚮異性反射率%在線鑑測技術%MOCVD
귀-화반사솔%각향이성반사솔%재선감측기술%MOCVD
通过光学在线监测技术对多层AlxGa1-xAs样品生长过程中的生长速率与表面结构进行了分析.描述了选取合适探测光子能量的方法并在线监测了样品生长过程中表面归一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各向异性反射率(Reflectance Anisotropy,RA)随生长时间的变化,得到了样品的时间分辨NR及RA曲线,利用光学干涉原理解释了NR曲线的振荡衰减特性.不同AlxGa1-xAs层NR曲线收敛值随Al组分的单调变化被认为是材料的折射率变化引起的,而RA值随Al组分的增加而增加说明Al原子的并入对表面光学各向异性有影响.通过拟合每一层材料的归一化反射谱振荡曲线得到了各层生长速率,与扫描电镜测试结果差别小于0.02 nm/s.对时间分辨RA曲线分析发现,生长温度对GaAs表面原子结构产生了影响.
通過光學在線鑑測技術對多層AlxGa1-xAs樣品生長過程中的生長速率與錶麵結構進行瞭分析.描述瞭選取閤適探測光子能量的方法併在線鑑測瞭樣品生長過程中錶麵歸一化反射率(Normalized Reflectance,NR)和各嚮異性反射率(Reflectance Anisotropy,RA)隨生長時間的變化,得到瞭樣品的時間分辨NR及RA麯線,利用光學榦涉原理解釋瞭NR麯線的振盪衰減特性.不同AlxGa1-xAs層NR麯線收斂值隨Al組分的單調變化被認為是材料的摺射率變化引起的,而RA值隨Al組分的增加而增加說明Al原子的併入對錶麵光學各嚮異性有影響.通過擬閤每一層材料的歸一化反射譜振盪麯線得到瞭各層生長速率,與掃描電鏡測試結果差彆小于0.02 nm/s.對時間分辨RA麯線分析髮現,生長溫度對GaAs錶麵原子結構產生瞭影響.
통과광학재선감측기술대다층AlxGa1-xAs양품생장과정중적생장속솔여표면결구진행료분석.묘술료선취합괄탐측광자능량적방법병재선감측료양품생장과정중표면귀일화반사솔(Normalized Reflectance,NR)화각향이성반사솔(Reflectance Anisotropy,RA)수생장시간적변화,득도료양품적시간분변NR급RA곡선,이용광학간섭원리해석료NR곡선적진탕쇠감특성.불동AlxGa1-xAs층NR곡선수렴치수Al조분적단조변화피인위시재료적절사솔변화인기적,이RA치수Al조분적증가이증가설명Al원자적병입대표면광학각향이성유영향.통과의합매일층재료적귀일화반사보진탕곡선득도료각층생장속솔,여소묘전경측시결과차별소우0.02 nm/s.대시간분변RA곡선분석발현,생장온도대GaAs표면원자결구산생료영향.
