电子工程师
電子工程師
전자공정사
ELECTRONIC ENGINEER
2004年
3期
23-25
,共3页
周帅林%罗岚%陈碧%吴煊
週帥林%囉嵐%陳碧%吳煊
주수림%라람%진벽%오훤
压控振荡器%变容管%开关调谐%相位噪声
壓控振盪器%變容管%開關調諧%相位譟聲
압공진탕기%변용관%개관조해%상위조성
设计了一种频率可调范围约600 MHz的全集成CMOS LC宽带压控振荡器.该压控振荡器工作电压为3.3 V,基于Chartered 0.25 μm 标准CMOS工艺设计,利用开关电容调谐的方法扩大其调谐范围.测试结果表明:该压控振荡器工作在中心频率为1.9 GHz时,单边带相位噪声为-85 dBc/10 kHz,调谐范围达到32%.
設計瞭一種頻率可調範圍約600 MHz的全集成CMOS LC寬帶壓控振盪器.該壓控振盪器工作電壓為3.3 V,基于Chartered 0.25 μm 標準CMOS工藝設計,利用開關電容調諧的方法擴大其調諧範圍.測試結果錶明:該壓控振盪器工作在中心頻率為1.9 GHz時,單邊帶相位譟聲為-85 dBc/10 kHz,調諧範圍達到32%.
설계료일충빈솔가조범위약600 MHz적전집성CMOS LC관대압공진탕기.해압공진탕기공작전압위3.3 V,기우Chartered 0.25 μm 표준CMOS공예설계,이용개관전용조해적방법확대기조해범위.측시결과표명:해압공진탕기공작재중심빈솔위1.9 GHz시,단변대상위조성위-85 dBc/10 kHz,조해범위체도32%.
