华南师范大学学报（自然科学版）
華南師範大學學報（自然科學版）
화남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2004年
4期
65-69
,共5页
樊双莉%陈俊芳%吴先球%赵文锋%孙辉%符斯列%向鹏飞%蒙高庆
樊雙莉%陳俊芳%吳先毬%趙文鋒%孫輝%符斯列%嚮鵬飛%矇高慶
번쌍리%진준방%오선구%조문봉%손휘%부사렬%향붕비%몽고경
ICPECVD%氮化硅%薄膜
ICPECVD%氮化硅%薄膜
ICPECVD%담화규%박막
采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律, 弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
採用直管式反應感應耦閤等離子體增彊化學氣相沉積法(ICPECVD)製備氮化硅薄膜,併用傅立葉變換紅外光譜儀測試瞭氮化硅薄膜的紅外光譜,結果錶明氮化硅薄膜中不僅存在Si-N鍵,而且由于雜質氫的存在而含有Si-H鍵和N-H鍵.用朗繆爾單探針測試瞭直管式反應室中的等離子體參數,得到離子密度Ni在反應室內軸嚮以及徑嚮位置的變化規律, 弄清瞭離子密度Ni分佈比較均勻的區域,分析瞭離子密度Ni分佈的均勻性對等離子體榦法刻蝕和薄膜製備的影響和意義.
채용직관식반응감응우합등리자체증강화학기상침적법(ICPECVD)제비담화규박막,병용부립협변환홍외광보의측시료담화규박막적홍외광보,결과표명담화규박막중불부존재Si-N건,이차유우잡질경적존재이함유Si-H건화N-H건.용랑무이단탐침측시료직관식반응실중적등리자체삼수,득도리자밀도Ni재반응실내축향이급경향위치적변화규률, 롱청료리자밀도Ni분포비교균균적구역,분석료리자밀도Ni분포적균균성대등리자체간법각식화박막제비적영향화의의.
