功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2005年
12期
1831-1833,1836
,共4页
丁艳芳%门传玲%陈韬%朱自强%林成鲁
丁豔芳%門傳玲%陳韜%硃自彊%林成魯
정염방%문전령%진도%주자강%림성로
AlN薄膜%KrF准分子脉冲激光沉积%微结构
AlN薄膜%KrF準分子脈遲激光沉積%微結構
AlN박막%KrF준분자맥충격광침적%미결구
研究了采用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上AlN薄膜的制备及其性质.结果表明,衬底温度从室温到800℃的范围内,所得到的AlN薄膜为(002)择优取向的纤锌矿结构.随着衬底温度的升高,AlN薄膜从纳米晶结构转为多晶结构,同时表面微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱状生长机制.
研究瞭採用脈遲激光沉積(PLD)技術在Si(100)襯底上AlN薄膜的製備及其性質.結果錶明,襯底溫度從室溫到800℃的範圍內,所得到的AlN薄膜為(002)擇優取嚮的纖鋅礦結構.隨著襯底溫度的升高,AlN薄膜從納米晶結構轉為多晶結構,同時錶麵微粗糙度上升.AlN晶粒呈柱狀生長機製.
연구료채용맥충격광침적(PLD)기술재Si(100)츤저상AlN박막적제비급기성질.결과표명,츤저온도종실온도800℃적범위내,소득도적AlN박막위(002)택우취향적섬자광결구.수착츤저온도적승고,AlN박막종납미정결구전위다정결구,동시표면미조조도상승.AlN정립정주상생장궤제.
