物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2006年
1期
17-20
,共4页
多层铁电薄膜%结构设计%脉冲准分子激光沉积
多層鐵電薄膜%結構設計%脈遲準分子激光沉積
다층철전박막%결구설계%맥충준분자격광침적
为了有效阻止锆钛酸铅镧(PLZT)与半导体界面发生反应和互扩散,根据锆钛酸铅镧和钛酸铋(BIT)各自的铁电性能,提出了一种新的设计思想--多层铁电薄膜.采用脉冲准分子激光淀积(PLD)方法制备了BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜.采用Sawyer-Tower电路测量,其剩余极化强度Pr=34μC/cm2,矫顽场Ec=40 kV/cm.这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点,提高了铁电薄膜的铁电性能.
為瞭有效阻止鋯鈦痠鉛鑭(PLZT)與半導體界麵髮生反應和互擴散,根據鋯鈦痠鉛鑭和鈦痠鉍(BIT)各自的鐵電性能,提齣瞭一種新的設計思想--多層鐵電薄膜.採用脈遲準分子激光澱積(PLD)方法製備瞭BIT/PLZT/BIT多層鐵電薄膜.採用Sawyer-Tower電路測量,其剩餘極化彊度Pr=34μC/cm2,矯頑場Ec=40 kV/cm.這種結構吸收瞭鋯鈦痠鉛鑭和鈦痠鉍的優點,提高瞭鐵電薄膜的鐵電性能.
위료유효조지고태산연란(PLZT)여반도체계면발생반응화호확산,근거고태산연란화태산필(BIT)각자적철전성능,제출료일충신적설계사상--다층철전박막.채용맥충준분자격광정적(PLD)방법제비료BIT/PLZT/BIT다층철전박막.채용Sawyer-Tower전로측량,기잉여겁화강도Pr=34μC/cm2,교완장Ec=40 kV/cm.저충결구흡수료고태산연란화태산필적우점,제고료철전박막적철전성능.
