半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1107-1111
,共5页
齐海涛%李亚丽%张雄文%冯震%商耀辉%郭维廉
齊海濤%李亞麗%張雄文%馮震%商耀輝%郭維廉
제해도%리아려%장웅문%풍진%상요휘%곽유렴
共振隧穿晶体管%共振隧穿二极管%高电子迁移率晶体管%电流峰谷比
共振隧穿晶體管%共振隧穿二極管%高電子遷移率晶體管%電流峰穀比
공진수천정체관%공진수천이겁관%고전자천이솔정체관%전류봉곡비
依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联型RTT,并对RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性进行了测试.测试结果表明:在室温下,器件具有明显的栅控负阻特性,正接型RTT的最大峰谷电流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰谷电流之比在4.6左右.实验为RTD/HEMT串联型RTT性能的优化和RTD/HEMT单片集成电路的研制奠定了基础.
依據RTD/HEMT串聯型RTT的概唸,設計瞭RTD/HEMT單片集成材料結構,該結構採用分子束外延技術生長.採用濕法化學腐蝕、金屬剝離、檯麵隔離和空氣橋互連技術,研製瞭RTD/HEMT串聯型RTT,併對RTT及RTT中RTD和HEMT的直流特性進行瞭測試.測試結果錶明:在室溫下,器件具有明顯的柵控負阻特性,正接型RTT的最大峰穀電流之比在2.2左右,反接型RTT的最大峰穀電流之比在4.6左右.實驗為RTD/HEMT串聯型RTT性能的優化和RTD/HEMT單片集成電路的研製奠定瞭基礎.
의거RTD/HEMT천련형RTT적개념,설계료RTD/HEMT단편집성재료결구,해결구채용분자속외연기술생장.채용습법화학부식、금속박리、태면격리화공기교호련기술,연제료RTD/HEMT천련형RTT,병대RTT급RTT중RTD화HEMT적직류특성진행료측시.측시결과표명:재실온하,기건구유명현적책공부조특성,정접형RTT적최대봉곡전류지비재2.2좌우,반접형RTT적최대봉곡전류지비재4.6좌우.실험위RTD/HEMT천련형RTT성능적우화화RTD/HEMT단편집성전로적연제전정료기출.
