电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
9期
77-79
,共3页
无机非金属材料%ZAO薄膜%磁控溅射%变参数
無機非金屬材料%ZAO薄膜%磁控濺射%變參數
무궤비금속재료%ZAO박막%자공천사%변삼수
采用射频磁控溅射技术生长ZnO:Al(ZAO)薄膜,用X射线衍射仪检测薄膜的结晶质量.为了提高薄膜的生长效率,进行了在生长过程中调整生长参数的试验.结果发现,生长过程中适当地改变参数,不仅可以提高薄膜的生长效率,还可以获得结晶质量更好的薄膜.在工作压强0.35 Pa、溅射功率120 W条件下粗生长后,改变工作压强为0.2 Pa、溅射功率80 W进行细生长,制得的薄膜平均可见光透射率为88%,电阻率为7.8×10-4 Ω·cm.
採用射頻磁控濺射技術生長ZnO:Al(ZAO)薄膜,用X射線衍射儀檢測薄膜的結晶質量.為瞭提高薄膜的生長效率,進行瞭在生長過程中調整生長參數的試驗.結果髮現,生長過程中適噹地改變參數,不僅可以提高薄膜的生長效率,還可以穫得結晶質量更好的薄膜.在工作壓彊0.35 Pa、濺射功率120 W條件下粗生長後,改變工作壓彊為0.2 Pa、濺射功率80 W進行細生長,製得的薄膜平均可見光透射率為88%,電阻率為7.8×10-4 Ω·cm.
채용사빈자공천사기술생장ZnO:Al(ZAO)박막,용X사선연사의검측박막적결정질량.위료제고박막적생장효솔,진행료재생장과정중조정생장삼수적시험.결과발현,생장과정중괄당지개변삼수,불부가이제고박막적생장효솔,환가이획득결정질량경호적박막.재공작압강0.35 Pa、천사공솔120 W조건하조생장후,개변공작압강위0.2 Pa、천사공솔80 W진행세생장,제득적박막평균가견광투사솔위88%,전조솔위7.8×10-4 Ω·cm.
