人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2009年
3期
662-665,676
,共5页
郁操%侯国付%刘芳%孙建%赵颖%耿新华
鬱操%侯國付%劉芳%孫建%趙穎%耿新華
욱조%후국부%류방%손건%조영%경신화
β-FeSi2薄膜%直流磁控溅射%退火温度%异质结太阳电池
β-FeSi2薄膜%直流磁控濺射%退火溫度%異質結太暘電池
β-FeSi2박막%직류자공천사%퇴화온도%이질결태양전지
本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.
本文採用室溫直流磁控濺射Fe-Si組閤靶的方法,併通過後續退火溫度的優化得到瞭單一相高質量的β-FeSi2薄膜.結果錶明,在本實驗條件下得到的未摻雜的β-FeSi2薄膜在室溫下是n型導電的,其電學特性存在一箇退火溫度的最優點:800 ℃.而且在這箇最佳溫度點上,在Si(111)襯底上外延得到的薄膜載流子遷移率比在Si(100)上高齣瞭一倍多.在上述研究的基礎上,採用p-Si(111)單晶片作為外延生長β-FeSi2薄膜的襯底,併通過退火溫度和薄膜厚度的優化製備齣瞭國內第一箇n-β-FeSi2/p-Si異質結太暘電池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.
본문채용실온직류자공천사Fe-Si조합파적방법,병통과후속퇴화온도적우화득도료단일상고질량적β-FeSi2박막.결과표명,재본실험조건하득도적미참잡적β-FeSi2박막재실온하시n형도전적,기전학특성존재일개퇴화온도적최우점:800 ℃.이차재저개최가온도점상,재Si(111)츤저상외연득도적박막재류자천이솔비재Si(100)상고출료일배다.재상술연구적기출상,채용p-Si(111)단정편작위외연생장β-FeSi2박막적츤저,병통과퇴화온도화박막후도적우화제비출료국내제일개n-β-FeSi2/p-Si이질결태양전지,기Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38%.
