基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
기우다정외기구급SIC기술적고속NPN관설계
Design of High-Speed NPN Transistor Based on Poly-Silicon-Base and SIC Technology
  • 万方数据
    微电子学 미전자학
    MICROELECTRONICS
    2011年 2期 285-288 ,共4页

    唐昭焕%甘明富%钟怡%谭开洲%刘勇%杨永晖%胡刚毅%徐学良%李荣强

    당소환%감명부%종이%담개주%류용%양영휘%호강의%서학량%리영강

    半导体器件%NPN管%多晶外基区%集电极选择性注入 半導體器件%NPN管%多晶外基區%集電極選擇性註入
    반도체기건%NPN관%다정외기구%집전겁선택성주입
    提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制.该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率.通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管.该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制.
    제출료일충선진적쌍다정규비자대준NPN관적기건결구,병실제용우일충고성능NPN관적연제.해기건결구주요통과다정외기구감소기구전조화기구결면적,이급사용SIC기술감소집전겁전조적방식,겁대지제승료NPN관적특정빈솔.통과실제공예류편험증,실현료BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz적고속NPN관.해기건결구교쌍다정자대준기건결구역우가공,가이엄범용우기타고속호보쌍겁기건적연제.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문