电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2003年
4期
441-443
,共3页
ITO膜%直流磁控反应溅射%热处理
ITO膜%直流磁控反應濺射%熱處理
ITO막%직류자공반응천사%열처리
采用了补氧直流磁控反应溅射工艺制备ITO膜,在不同基片加热温度和补氧流量下获得最低方块电阻值的最佳制备工艺.对制备的ITO薄膜进行了退火热处理,研究不同温度热处理后膜的方块阻值的变化.实验表明,对一定的基片加热温度,ITO膜的方块电阻与溅射气氛中的补氧流量有关,并存在一个最佳补氧的值,在该条件下制备ITO的方块电阻最小,在膜厚为40 nm埃时仅有不到100Ω/□.影响溅射沉积ITO透明导电薄膜方阻的,除了溅射沉积时基片的烘烤温度和补氧流量外,还包括后期大气退火热处理的温度.
採用瞭補氧直流磁控反應濺射工藝製備ITO膜,在不同基片加熱溫度和補氧流量下穫得最低方塊電阻值的最佳製備工藝.對製備的ITO薄膜進行瞭退火熱處理,研究不同溫度熱處理後膜的方塊阻值的變化.實驗錶明,對一定的基片加熱溫度,ITO膜的方塊電阻與濺射氣氛中的補氧流量有關,併存在一箇最佳補氧的值,在該條件下製備ITO的方塊電阻最小,在膜厚為40 nm埃時僅有不到100Ω/□.影響濺射沉積ITO透明導電薄膜方阻的,除瞭濺射沉積時基片的烘烤溫度和補氧流量外,還包括後期大氣退火熱處理的溫度.
채용료보양직류자공반응천사공예제비ITO막,재불동기편가열온도화보양류량하획득최저방괴전조치적최가제비공예.대제비적ITO박막진행료퇴화열처리,연구불동온도열처리후막적방괴조치적변화.실험표명,대일정적기편가열온도,ITO막적방괴전조여천사기분중적보양류량유관,병존재일개최가보양적치,재해조건하제비ITO적방괴전조최소,재막후위40 nm애시부유불도100Ω/□.영향천사침적ITO투명도전박막방조적,제료천사침적시기편적홍고온도화보양류량외,환포괄후기대기퇴화열처리적온도.
