电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2006年
4期
1164-1167
,共4页
樊俊峰%王国雄%沈海斌%楼久怀
樊俊峰%王國雄%瀋海斌%樓久懷
번준봉%왕국웅%침해빈%루구부
电源网络%电压降%电子迁移率
電源網絡%電壓降%電子遷移率
전원망락%전압강%전자천이솔
随着芯片集成度的逐渐提高,芯片单位面积所消耗的功耗也越来越大,因此,可靠的电源网络设计和验证已成为芯片设计成败的关键因素之一.在以往,集成电路(IC)设计工程师往往根据经验来设计电源网络,但工艺到0.18 μm,这往往会引起芯片功能失效.根据这个问题,本文首先介绍电压降(IR-Drop)和电子迁移率(Electro-migration)现象和对芯片性能的影响;其次,提出一种有效的电源网络设计和验证方法,并在芯片的物理设计初期对电源网络作可靠性估计;最后,经过椭圆曲线加密芯片(ECC&RSA)的流片,表明采用该方法设计的芯片,工作情况良好.
隨著芯片集成度的逐漸提高,芯片單位麵積所消耗的功耗也越來越大,因此,可靠的電源網絡設計和驗證已成為芯片設計成敗的關鍵因素之一.在以往,集成電路(IC)設計工程師往往根據經驗來設計電源網絡,但工藝到0.18 μm,這往往會引起芯片功能失效.根據這箇問題,本文首先介紹電壓降(IR-Drop)和電子遷移率(Electro-migration)現象和對芯片性能的影響;其次,提齣一種有效的電源網絡設計和驗證方法,併在芯片的物理設計初期對電源網絡作可靠性估計;最後,經過橢圓麯線加密芯片(ECC&RSA)的流片,錶明採用該方法設計的芯片,工作情況良好.
수착심편집성도적축점제고,심편단위면적소소모적공모야월래월대,인차,가고적전원망락설계화험증이성위심편설계성패적관건인소지일.재이왕,집성전로(IC)설계공정사왕왕근거경험래설계전원망락,단공예도0.18 μm,저왕왕회인기심편공능실효.근거저개문제,본문수선개소전압강(IR-Drop)화전자천이솔(Electro-migration)현상화대심편성능적영향;기차,제출일충유효적전원망락설계화험증방법,병재심편적물리설계초기대전원망락작가고성고계;최후,경과타원곡선가밀심편(ECC&RSA)적류편,표명채용해방법설계적심편,공작정황량호.
