半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
3期
342-344
,共3页
黄烈云%吴琼瑶%赵文伯%叶嗣荣%向勇军%刘小芹%黄绍春
黃烈雲%吳瓊瑤%趙文伯%葉嗣榮%嚮勇軍%劉小芹%黃紹春
황렬운%오경요%조문백%협사영%향용군%류소근%황소춘
紫外探测器%AlGaN%日盲%刻蚀%欧姆接触
紫外探測器%AlGaN%日盲%刻蝕%歐姆接觸
자외탐측기%AlGaN%일맹%각식%구모접촉
采用MOCVD方法在双面抛光的(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器.详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试.测试结果表明:器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20 V;常温下(300 K),该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm.
採用MOCVD方法在雙麵拋光的(0001)藍寶石襯底上生長瞭高鋁組分AlGaN材料,研製齣日盲型AlGaN PIN紫外探測器.詳細介紹瞭該器件的結構設計和製作工藝,併對該器件進行瞭光電性能測試.測試結果錶明:器件的正嚮開啟電壓約為4.5 V,反嚮擊穿電壓大于20 V;常溫下(300 K),該器件在3 V反嚮偏壓下的暗電流約為50 pA,在零偏壓下270 nm處峰值響應度達到0.12 A/W,長波截止波長小于285 nm.
채용MOCVD방법재쌍면포광적(0001)람보석츤저상생장료고려조분AlGaN재료,연제출일맹형AlGaN PIN자외탐측기.상세개소료해기건적결구설계화제작공예,병대해기건진행료광전성능측시.측시결과표명:기건적정향개계전압약위4.5 V,반향격천전압대우20 V;상온하(300 K),해기건재3 V반향편압하적암전류약위50 pA,재령편압하270 nm처봉치향응도체도0.12 A/W,장파절지파장소우285 nm.
