武汉理工大学学报
武漢理工大學學報
무한리공대학학보
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2007年
z1期
39-41
,共3页
范丽霞%卢卓宇%任峰%蒋昌忠%付强
範麗霞%盧卓宇%任峰%蔣昌忠%付彊
범려하%로탁우%임봉%장창충%부강
电子背散射衍射(EBSD)%弹性应力区域%菊池花样质量(IQ)%InGaAsP/InP异质结构
電子揹散射衍射(EBSD)%彈性應力區域%菊池花樣質量(IQ)%InGaAsP/InP異質結構
전자배산사연사(EBSD)%탄성응력구역%국지화양질량(IQ)%InGaAsP/InP이질결구
利用扫描电镜附件电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction, EBSD)技术,用菊池花样质量(IQ)作为应力敏感参数,研究了InGaAsP/InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布.
利用掃描電鏡附件電子揹散射衍射(Electron Backscattering Diffraction, EBSD)技術,用菊池花樣質量(IQ)作為應力敏感參數,研究瞭InGaAsP/InP異質結構緩遲層和外延層界麵處的應力分佈.
이용소묘전경부건전자배산사연사(Electron Backscattering Diffraction, EBSD)기술,용국지화양질량(IQ)작위응력민감삼수,연구료InGaAsP/InP이질결구완충층화외연층계면처적응력분포.
