GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究
GaAs-GaN건합계면열응력적전자배산사연사연구
Studies of Interfacial Thermal Stresses in a GaAs-GaN Bond with the Electron Backscatter Diffraction
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2008年 5期 1091-1096,1116 ,共7页

    田彦宝%吉元%赵跃%吴迪%郭霞%沈光地%索红莉%周美玲

    전언보%길원%조약%오적%곽하%침광지%색홍리%주미령

    GaAs-GaN%热应力%晶片键合%电子背散射衍射(EBSD) GaAs-GaN%熱應力%晶片鍵閤%電子揹散射衍射(EBSD)
    GaAs-GaN%열응력%정편건합%전자배산사연사(EBSD)
    采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量.利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数.结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力.GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500nm.EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似.模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘.剥离应力是导致晶片解键合的主要原因.
    채용소묘전경(SEM)화전자배산사연사(EBSD)기술,관찰화분석료GaAs화GaN정편열압건합적계면열응력화정편건합질량.이용EBSD측량료GaAs-GaN건합계면적국지화양질량、정격전동、정격착배화위착밀도등응력민감삼수.결과표명,정편건합질량량호,건합계면중심구역적열응력소우변연구역적열응력.GaN층화GaAs층중적응력영향범위,재중심구역분별약위100 nm화300 nm,재변연구역분별약위100 nm화500nm.EBSD현시적응력분포도여모의응력장상사.모의화계산표명,최대박리응력화전절응력분포재건합계면적변연.박리응력시도치정편해건합적주요원인.
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