固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
352-355
,共4页
王维波%王志功%张斌%康耀辉%吴礼群%杨乃彬
王維波%王誌功%張斌%康耀輝%吳禮群%楊迺彬
왕유파%왕지공%장빈%강요휘%오례군%양내빈
砷化镓%变性高电子迁移率晶体管%单片压控振荡器%相位噪声
砷化鎵%變性高電子遷移率晶體管%單片壓控振盪器%相位譟聲
신화가%변성고전자천이솔정체관%단편압공진탕기%상위조성
报道了一种低相位噪声VCO MMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑制谐波,利用南京电子器件研究所0.15μm GaAs MHEMT工艺,研制的Ka波段GaAs MHEMT压控振荡器,典型振荡频率为39.34 GHz,频率变化范围38.6～41.3 GHz之间,调谐带宽2.7 GHz,典型输出功率6.97 dBm,频偏100 kHZ,相位噪声为-81.1 dBc/HZ.
報道瞭一種低相位譟聲VCO MMIC芯片,採用傳統的源耑反饋形成負阻來消除諧振迴路中的寄生電阻,通過閤理的輸齣匹配實現起振條件併抑製諧波,利用南京電子器件研究所0.15μm GaAs MHEMT工藝,研製的Ka波段GaAs MHEMT壓控振盪器,典型振盪頻率為39.34 GHz,頻率變化範圍38.6～41.3 GHz之間,調諧帶寬2.7 GHz,典型輸齣功率6.97 dBm,頻偏100 kHZ,相位譟聲為-81.1 dBc/HZ.
보도료일충저상위조성VCO MMIC심편,채용전통적원단반궤형성부조래소제해진회로중적기생전조,통과합리적수출필배실현기진조건병억제해파,이용남경전자기건연구소0.15μm GaAs MHEMT공예,연제적Ka파단GaAs MHEMT압공진탕기,전형진탕빈솔위39.34 GHz,빈솔변화범위38.6～41.3 GHz지간,조해대관2.7 GHz,전형수출공솔6.97 dBm,빈편100 kHZ,상위조성위-81.1 dBc/HZ.
