固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
469-472
,共4页
张银桥%蔡建九%张双翔%张永%林志园%王向武%陈开建
張銀橋%蔡建九%張雙翔%張永%林誌園%王嚮武%陳開建
장은교%채건구%장쌍상%장영%림지완%왕향무%진개건
砷化镓%铟镓砷%缓冲层%弛豫特性
砷化鎵%銦鎵砷%緩遲層%弛豫特性
신화가%인가신%완충층%이예특성
采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术 GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料.测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现.此外,仅需50 nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济.
採用組分跳變和低溫大失配緩遲層技術 GaAs襯底上外延瞭In0.3Ga0.7As材料.測試結果錶明,採用組分跳變緩遲層生長的In0.3Ga0.7As主要依靠逐層間產生失配位錯來釋放應力,併導緻錶麵形成縱橫交錯的Cross-hatch形貌;而採用低溫大失配緩遲層技術則主要通過在低溫緩遲層中形成大量缺陷來充分釋放應力,併在後續外延的In0.3Ga0.7As錶麵沒有與失配位錯相關的Cross-hatch形貌齣現.此外,僅需50 nm厚的低溫大失配緩遲層即可促使In0.3Ga0.7As中的應力完全釋放,這種超薄緩遲層技術在工業批產中顯得更為經濟.
채용조분도변화저온대실배완충층기술 GaAs츤저상외연료In0.3Ga0.7As재료.측시결과표명,채용조분도변완충층생장적In0.3Ga0.7As주요의고축층간산생실배위착래석방응력,병도치표면형성종횡교착적Cross-hatch형모;이채용저온대실배완충층기술칙주요통과재저온완충층중형성대량결함래충분석방응력,병재후속외연적In0.3Ga0.7As표면몰유여실배위착상관적Cross-hatch형모출현.차외,부수50 nm후적저온대실배완충층즉가촉사In0.3Ga0.7As중적응력완전석방,저충초박완충층기술재공업비산중현득경위경제.
