光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2012年
9期
1086-1089
,共4页
于仕辉%丁玲红%薛闯%张伟风
于仕輝%丁玲紅%薛闖%張偉風
우사휘%정령홍%설틈%장위풍
磁控溅射%SnO2/Ag/SnO2%氧氩比%透明导电薄膜
磁控濺射%SnO2/Ag/SnO2%氧氬比%透明導電薄膜
자공천사%SnO2/Ag/SnO2%양아비%투명도전박막
在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层,在载玻片衬底上制备出了SnO2/Ag/SnO2多层薄膜.用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外-可见-近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质.实验结果表明:当氧氩比为1:14时,所制得的薄膜的光电性质优良指数最大,为1.69×10-2 Ω-1;此时,薄膜的电阻率为9.8×10-5Ω·cm,方电阻为9.68Ω/sq,在400~800 nm可见光区的平均光学透射率达85%;并且,在氧氩比为1:14时,利用射频磁控溅射Ag层和直流磁控溅射SnO2层在PET柔性衬底上制备出了光电性质优良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达85%以上,电阻率为1.22×10-4Ωcm,方电阻为12.05Ω/sq.
在室溫及不同的氧氬比條件下,採用射頻磁控濺射Ag層和直流磁控濺射SnO2層,在載玻片襯底上製備齣瞭SnO2/Ag/SnO2多層薄膜.用霍爾效應測試儀、四探針電阻測試儀和紫外-可見-近紅外光譜儀等錶徵瞭薄膜的電學性質和光學性質.實驗結果錶明:噹氧氬比為1:14時,所製得的薄膜的光電性質優良指數最大,為1.69×10-2 Ω-1;此時,薄膜的電阻率為9.8×10-5Ω·cm,方電阻為9.68Ω/sq,在400~800 nm可見光區的平均光學透射率達85%;併且,在氧氬比為1:14時,利用射頻磁控濺射Ag層和直流磁控濺射SnO2層在PET柔性襯底上製備齣瞭光電性質優良的柔性透明導電膜,其在可見光區的平均光學透過率達85%以上,電阻率為1.22×10-4Ωcm,方電阻為12.05Ω/sq.
재실온급불동적양아비조건하,채용사빈자공천사Ag층화직류자공천사SnO2층,재재파편츤저상제비출료SnO2/Ag/SnO2다층박막.용곽이효응측시의、사탐침전조측시의화자외-가견-근홍외광보의등표정료박막적전학성질화광학성질.실험결과표명:당양아비위1:14시,소제득적박막적광전성질우량지수최대,위1.69×10-2 Ω-1;차시,박막적전조솔위9.8×10-5Ω·cm,방전조위9.68Ω/sq,재400~800 nm가견광구적평균광학투사솔체85%;병차,재양아비위1:14시,이용사빈자공천사Ag층화직류자공천사SnO2층재PET유성츤저상제비출료광전성질우량적유성투명도전막,기재가견광구적평균광학투과솔체85%이상,전조솔위1.22×10-4Ωcm,방전조위12.05Ω/sq.