半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
5期
519-521,542
,共4页
田招兵%张永刚%李爱珍%顾溢
田招兵%張永剛%李愛珍%顧溢
전초병%장영강%리애진%고일
光伏探测器%焦平面阵列%InGaAs%近红外
光伏探測器%焦平麵陣列%InGaAs%近紅外
광복탐측기%초평면진렬%InGaAs%근홍외
采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性.探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×1011 cm·Hz1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%.
採用氣態源分子束外延(GSMBE)生長技術結閤常規半導體工藝製成瞭正進光檯麵型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探測器陣列,併對其特性進行瞭測量,結果錶明GSMBE生長的材料具有很好的均勻性.探測器陣列在室溫下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探測器的暗電流約173 pA,單元間的相對標準差為1.3%;器件的峰值探測率為4.7×1011 cm·Hz1/2/W,單元間的相對標準差為0.9%.
채용기태원분자속외연(GSMBE)생장기술결합상규반도체공예제성료정진광태면형8원In0.53Ga0.47As/InP광복탐측기진렬,병대기특성진행료측량,결과표명GSMBE생장적재료구유흔호적균균성.탐측기진렬재실온하구유량호적성능,재-10 mV반편하탐측기적암전류약173 pA,단원간적상대표준차위1.3%;기건적봉치탐측솔위4.7×1011 cm·Hz1/2/W,단원간적상대표준차위0.9%.
