仪器仪表用户
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의기의표용호
MAIN CONTENTS
2010年
1期
65-66
,共2页
带隙基准%LDO稳压器%温度系数%电源抑制比
帶隙基準%LDO穩壓器%溫度繫數%電源抑製比
대극기준%LDO은압기%온도계수%전원억제비
设计了一款应用于LDO线性稳压器的高性能CMOS带隙基准电路,详细分析了它的工作原理,并给出了具体电路、仿真波形以及分析数据.该电路的主要特点是采用双PN结串联和基极电流补偿的结构,并引入衬底电压产生电路,具有很好的温度特性和很高的电源抑制比.当温度从-40～125℃变化时,温度系数约为37ppm/℃;同时,其电源抑制比(PSRR)为76.3dB.此外,该电路还可为LDO中其它电路模块提供PTAT电流.
設計瞭一款應用于LDO線性穩壓器的高性能CMOS帶隙基準電路,詳細分析瞭它的工作原理,併給齣瞭具體電路、倣真波形以及分析數據.該電路的主要特點是採用雙PN結串聯和基極電流補償的結構,併引入襯底電壓產生電路,具有很好的溫度特性和很高的電源抑製比.噹溫度從-40～125℃變化時,溫度繫數約為37ppm/℃;同時,其電源抑製比(PSRR)為76.3dB.此外,該電路還可為LDO中其它電路模塊提供PTAT電流.
설계료일관응용우LDO선성은압기적고성능CMOS대극기준전로,상세분석료타적공작원리,병급출료구체전로、방진파형이급분석수거.해전로적주요특점시채용쌍PN결천련화기겁전류보상적결구,병인입츤저전압산생전로,구유흔호적온도특성화흔고적전원억제비.당온도종-40～125℃변화시,온도계수약위37ppm/℃;동시,기전원억제비(PSRR)위76.3dB.차외,해전로환가위LDO중기타전로모괴제공PTAT전류.
