电子科技
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전자과기
IT AGE
2011年
1期
59-64
,共6页
薛川%梁聪%张晓东%胡善文%高怀
薛川%樑聰%張曉東%鬍善文%高懷
설천%량총%장효동%호선문%고부
砷化镓%无源元件%电磁仿真%等效电路模型
砷化鎵%無源元件%電磁倣真%等效電路模型
신화가%무원원건%전자방진%등효전로모형
采用电磁场(EM)建模的分析方法,提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型,并应用于一种π形匹配网络的设计,该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素,对无源元件电特性的影响,基于GaAs半导体工艺进行了流片.测试结果表明,在0.1～40 GHz频率范围内,采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值.采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比,更接近于流片后的实际结果,该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度,而且缩短了设计周期、节省了设计成本.
採用電磁場(EM)建模的分析方法,提取瞭砷化鎵襯底上MIM電容、方形螺鏇電感和微帶傳輸線的等效電路模型,併應用于一種π形匹配網絡的設計,該模型充分攷慮瞭襯底損耗、趨膚效應、接近效應等因素,對無源元件電特性的影響,基于GaAs半導體工藝進行瞭流片.測試結果錶明,在0.1～40 GHz頻率範圍內,採用EM技術提取的元件參數值有效地吻閤瞭其測試值.採用EM等效電路模型設計的電路與傳統模型設計的電路相比,更接近于流片後的實際結果,該方法不僅有效地提高瞭微波集成電路設計的準確度,而且縮短瞭設計週期、節省瞭設計成本.
채용전자장(EM)건모적분석방법,제취료신화가츤저상MIM전용、방형라선전감화미대전수선적등효전로모형,병응용우일충π형필배망락적설계,해모형충분고필료츤저손모、추부효응、접근효응등인소,대무원원건전특성적영향,기우GaAs반도체공예진행료류편.측시결과표명,재0.1～40 GHz빈솔범위내,채용EM기술제취적원건삼수치유효지문합료기측시치.채용EM등효전로모형설계적전로여전통모형설계적전로상비,경접근우류편후적실제결과,해방법불부유효지제고료미파집성전로설계적준학도,이차축단료설계주기、절성료설계성본.
