现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
16期
123-125,130
,共4页
李少君%王子欧%王媛媛%张立军
李少君%王子歐%王媛媛%張立軍
리소군%왕자구%왕원원%장립군
静态噪声容限%漏电流%低功耗%可靠性
靜態譟聲容限%漏電流%低功耗%可靠性
정태조성용한%루전류%저공모%가고성
提出一种新型的6管SRAM单元结构,该结构采用读/写分开技术,从而很大程度上解决了噪声容限的问题,并且该结构在数据保持状态下,采用漏电流以及正反馈保持数据,从而不需要数据的刷新来维持数据.仿真显示了正确的读/写功能,并且读/写速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM单元的读/写功耗下降了39%.
提齣一種新型的6管SRAM單元結構,該結構採用讀/寫分開技術,從而很大程度上解決瞭譟聲容限的問題,併且該結構在數據保持狀態下,採用漏電流以及正反饋保持數據,從而不需要數據的刷新來維持數據.倣真顯示瞭正確的讀/寫功能,併且讀/寫速度和普通6管基本相同,但是比普通6管SRAM單元的讀/寫功耗下降瞭39%.
제출일충신형적6관SRAM단원결구,해결구채용독/사분개기술,종이흔대정도상해결료조성용한적문제,병차해결구재수거보지상태하,채용루전류이급정반궤보지수거,종이불수요수거적쇄신래유지수거.방진현시료정학적독/사공능,병차독/사속도화보통6관기본상동,단시비보통6관SRAM단원적독/사공모하강료39%.
