固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
5期
442-444,493
,共4页
钟世昌%陈堂胜%张斌%任春江%陈辰%高涛
鐘世昌%陳堂勝%張斌%任春江%陳辰%高濤
종세창%진당성%장빈%임춘강%진신%고도
氮化镓%功率管%内匹配
氮化鎵%功率管%內匹配
담화가%공솔관%내필배
主要研究第三代半导体AlGaN/GaN功率管内匹配问题.采用8个2.5 mm GaN功率芯片设计、合成以及内匹配电路的测试,在漏极电压40 V,脉冲占空比10％,脉宽100μs的条件下进行功率匹配,实现了GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率输出的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50 Ω,功率增益大于6 dB,功率附加效率达到28.66％,输出功率密度高达7 W/mm.
主要研究第三代半導體AlGaN/GaN功率管內匹配問題.採用8箇2.5 mm GaN功率芯片設計、閤成以及內匹配電路的測試,在漏極電壓40 V,脈遲佔空比10％,脈寬100μs的條件下進行功率匹配,實現瞭GaN功率HEMT在X波段8 GHz 140 W功率輸齣的內匹配電路,併使整箇電路的輸入、輸齣電路阻抗提升至50 Ω,功率增益大于6 dB,功率附加效率達到28.66％,輸齣功率密度高達7 W/mm.
주요연구제삼대반도체AlGaN/GaN공솔관내필배문제.채용8개2.5 mm GaN공솔심편설계、합성이급내필배전로적측시,재루겁전압40 V,맥충점공비10％,맥관100μs적조건하진행공솔필배,실현료GaN공솔HEMT재X파단8 GHz 140 W공솔수출적내필배전로,병사정개전로적수입、수출전로조항제승지50 Ω,공솔증익대우6 dB,공솔부가효솔체도28.66％,수출공솔밀도고체7 W/mm.
