材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
12期
56-58
,共3页
磁控溅射%Mg2Si%溅射功率%择优取向
磁控濺射%Mg2Si%濺射功率%擇優取嚮
자공천사%Mg2Si%천사공솔%택우취향
采用直流磁控溅射的方法在Si(100)衬底上制备了Mg2Si外延半导体薄膜.通过XRD和FESEM对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征,分析了溅射功率对Mg2Si薄膜制备的影响,得到了Mg2Si薄膜在不同溅射功率下的外延生长特性.结果表明,在Si(100)衬底上,Mg2Si薄膜具有(220)的择优生长特性,并且在50～80W的溅射功率范围内,随着溅射功率的增加,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度逐渐增强.
採用直流磁控濺射的方法在Si(100)襯底上製備瞭Mg2Si外延半導體薄膜.通過XRD和FESEM對Mg2Si薄膜的晶體結構和錶麵形貌進行瞭錶徵,分析瞭濺射功率對Mg2Si薄膜製備的影響,得到瞭Mg2Si薄膜在不同濺射功率下的外延生長特性.結果錶明,在Si(100)襯底上,Mg2Si薄膜具有(220)的擇優生長特性,併且在50～80W的濺射功率範圍內,隨著濺射功率的增加,Mg2Si外延薄膜的衍射峰彊度逐漸增彊.
채용직류자공천사적방법재Si(100)츤저상제비료Mg2Si외연반도체박막.통과XRD화FESEM대Mg2Si박막적정체결구화표면형모진행료표정,분석료천사공솔대Mg2Si박막제비적영향,득도료Mg2Si박막재불동천사공솔하적외연생장특성.결과표명,재Si(100)츤저상,Mg2Si박막구유(220)적택우생장특성,병차재50～80W적천사공솔범위내,수착천사공솔적증가,Mg2Si외연박막적연사봉강도축점증강.
