计算机与应用化学
計算機與應用化學
계산궤여응용화학
COMPUTERS AND APPLIED CHEMISTRY
2011年
3期
295-299
,共5页
傅杨武%陈明君%梁克中%祁俊生
傅楊武%陳明君%樑剋中%祁俊生
부양무%진명군%량극중%기준생
DFT%二环非经典噻吩%电子密度拓朴结构%NIGS%电子性质
DFT%二環非經典噻吩%電子密度拓樸結構%NIGS%電子性質
DFT%이배비경전새분%전자밀도탁박결구%NIGS%전자성질
采用杂化的DFT理论,研究7种二环非经典噻吩电子密度拓朴结构、芳香性以及HOMO-LUMO能级差(△EL-H)、电子亲和势(EA)和电离能(IP)等电子性质.7种化合物都为平面构型,分子体系中所有化学键都具有π键特征,环平面上有较强的共轭作用,具有比单环化合物小得多的HOMO-LUMO能级差.7种化合物中,TT、BT和TPZ的EA相对较大,有较强的束缚电子的能力.TTh、TF、TP和BTh的EA为负值,束缚电子能力较弱,还原态不稳定,但其IP相对较小.因此,在低能隙导电聚合物的分子设计中,TT、BT和TPZ可作为电子受体,而TTh、TF、TP和BTh可作为电子供体.
採用雜化的DFT理論,研究7種二環非經典噻吩電子密度拓樸結構、芳香性以及HOMO-LUMO能級差(△EL-H)、電子親和勢(EA)和電離能(IP)等電子性質.7種化閤物都為平麵構型,分子體繫中所有化學鍵都具有π鍵特徵,環平麵上有較彊的共軛作用,具有比單環化閤物小得多的HOMO-LUMO能級差.7種化閤物中,TT、BT和TPZ的EA相對較大,有較彊的束縳電子的能力.TTh、TF、TP和BTh的EA為負值,束縳電子能力較弱,還原態不穩定,但其IP相對較小.因此,在低能隙導電聚閤物的分子設計中,TT、BT和TPZ可作為電子受體,而TTh、TF、TP和BTh可作為電子供體.
채용잡화적DFT이론,연구7충이배비경전새분전자밀도탁박결구、방향성이급HOMO-LUMO능급차(△EL-H)、전자친화세(EA)화전리능(IP)등전자성질.7충화합물도위평면구형,분자체계중소유화학건도구유π건특정,배평면상유교강적공액작용,구유비단배화합물소득다적HOMO-LUMO능급차.7충화합물중,TT、BT화TPZ적EA상대교대,유교강적속박전자적능력.TTh、TF、TP화BTh적EA위부치,속박전자능력교약,환원태불은정,단기IP상대교소.인차,재저능극도전취합물적분자설계중,TT、BT화TPZ가작위전자수체,이TTh、TF、TP화BTh가작위전자공체.